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搜索资源列表

  1. NXP_MOS-Model-9

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  2. NXP LDMOS模型9(应用于ADS2009)详细分析-NXP presentation note on MOS model 9
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-05-02
    • 文件大小:684738
    • 提供者:Jie Junfeng
  1. Design-of-Analog-CMOS-IC

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  2. 拉扎维的模拟CMOS集成电路设计电子版书籍。 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CM
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-06-09
    • 文件大小:16334943
    • 提供者:Ivan
  1. TI-SIMPLE-SWITCHER

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  2. 补偿电路、仿电流模式、可调的软启动和开关同步、低电磁干扰、集成电感MOS管……似乎从SIMPLE SWITCHER中我们 找到了一个形容——“万千宠爱在一身”。这个“易电源”功能上可以说达到了一个极致-The use of SIMPLE SWITCHER
  3. 所属分类:Project Manage

    • 发布日期:2017-11-15
    • 文件大小:6626212
    • 提供者:冬冬
  1. ptcrack-0.2.1-src

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  2. mos ck for wifui cracking
  3. 所属分类:Development Research

    • 发布日期:2017-11-08
    • 文件大小:216072
    • 提供者:myyz
  1. model-parameter-package-information

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  2. 很全的手册各种MOS管的信息 全系列MOS管型号参数封装资料-Full manual MOS tube MOS transistor model parameter package information
  3. 所属分类:Project Manage

    • 发布日期:2017-11-24
    • 文件大小:66271
    • 提供者:ABC
  1. ouverture-MOS

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  2. i need the matlab code of this curve
  3. 所属分类:Project Design

    • 发布日期:2017-12-08
    • 文件大小:13984
    • 提供者:Karim
  1. mos_nor

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  2. vhdl code for the design of a n-mos
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-11-08
    • 文件大小:626
    • 提供者:Ashok Mahato
  1. 74HC245中文资料

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  2. 双P沟道增强型MOS管的74HC245中文资料,用于大屏显示或其他消费电子产品的显示驱动。
  3. 所属分类:其它文档

    • 发布日期:2013-05-09
    • 文件大小:486006
    • 提供者:ifenghai
  1. guanglifangyuanli

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  2. 光立方原理图纸,列采用595驱动,层采用大功率mos,有焊接组装图纸,提供DIY制作套件-Driven by 595 cubic principle drawing, light column, floor adopts high power MOS, a welding assembly drawings, provide DIY production suite..
  3. 所属分类:Project Design

    • 发布日期:2017-12-08
    • 文件大小:2118639
    • 提供者:睿 sir
  1. _06_-Jeong-Hyun-Lee..

    0下载:
  2. 1/f Noise Characteristics of Sub-100 nm MOS Transistors
  3. 所属分类:Development Research

    • 发布日期:2017-05-07
    • 文件大小:1244654
    • 提供者:deep
  1. TE_TOOL

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  2. 这是MOS管的损耗分析软件,可以帮助新手认识MOS存在哪些重要损耗,如何去解决损耗-This is analysis software loss MOS tube, can help beginners understand MOS what are the important loss, how to solve the loss
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-05-14
    • 文件大小:3563529
    • 提供者:邹军
  1. blcd-220V

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  2. 本方案是基于富士通高可靠性单片机开发的锂电池电动螺丝刀,采用直流无刷电机作为核心,配合方波驱动以及闭环控制技术,实现电动工具的可靠运行。 技术参数 1)采用日本富士通MCU,性能稳定,抗干扰强,高可靠性; 2)直流18V输入(可兼容不同锂电池10V—36V); 3)三相霍尔直流无刷电机驱动,转速高达25000转/分; 4)采用德国英飞凌高性能MOS/IGBT,驱动功率高达800W; 5)高亮LED照明,工作时点亮,不工作时自动熄灭
  3. 所属分类:Project Design

  1. hw5.tar

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  2. 差分放大器的hspice程序和仿真 包括 4 个mos-Hspice simulation program and comprises a differential amplifier 4 mos
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-04-02
    • 文件大小:98710
    • 提供者:lin
  1. Fanxiangqi_L-Edit

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  2. 在L-Edit开发环境下画了一款由MOS管组成的反相器-In L- Edit drew a development environment of MOS tube inverter
  3. 所属分类:Software Testing

    • 发布日期:2017-04-06
    • 文件大小:73422
    • 提供者:Chen xw
  1. 1

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  2. 反相器仿真根据长宽比来比较mos管的阈值电压的变化-Inverter simulation to compare the threshold voltage varies depending on the aspect ratio mos tube
  3. 所属分类:Project Manage

    • 发布日期:2017-04-13
    • 文件大小:2240
    • 提供者:hyde
  1. ashgillman-MOS-a337bc9

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  2. LOG spectral distance which is used in mmse
  3. 所属分类:Project Design

    • 发布日期:2017-04-15
    • 文件大小:5846
    • 提供者:simit
  1. TDA1308

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  2. 文件含Altium Designer13所画的原理图、pcb。 TDA1308是一块新型的低电压、低失真、高速率、强输出的运算放大器集成电路。它的输出级采用了MOS管,可以直接推动32Ω的耳机。在TDA1308电路的应用说明书中,给出一个增益为1的单端供电、负端输入放大电路,但笔者试改变其外围,把它接成双端供电的正输入放大电路,增益为10倍。这样改进的优点是,取消了输出电容,拓展了低频下限,并得到了所需的增益倍数。这个电路如图1所示。NE5532N构成的10倍线路放大器非常接近,除了增加由R
  3. 所属分类:Project Design

    • 发布日期:2017-04-24
    • 文件大小:498263
    • 提供者:kanxue
  1. composite

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  2. This function implements the composite objective measure proposed in [1]. It returns three values: The predicted rating of overall quality (Covl), the rating of speech distortion (Csig) and the rating of background distortion (Cbak). The rat
  3. 所属分类:software engineering

    • 发布日期:2017-04-14
    • 文件大小:5216
    • 提供者:sami
  1. BTN8960TA

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  2. 该BTN8960TA是NovalithIC™ 系列包含在一个封装中三个独立的芯片组成部分:一个P沟道 高侧MOSFET和一个n沟道低侧MOSFET一起的驱动器IC,从而形成一个集成的高 当前半桥。所有的三个芯片安装在一个公共引线框架,使用由上芯片和芯片的芯片 芯片技术。电源开关采用垂直MOS技术,以确保最佳的导通电阻。 由于p沟道高侧切换需要一个电荷泵从而消除了最小的EMI。 界面 以微控制器是由容易被集成驱动器IC哪些功能逻辑电平输入,诊断 电流检测,转换率的
  3. 所属分类:Project Design

    • 发布日期:2017-05-09
    • 文件大小:1644110
    • 提供者:胜客
  1. JFET

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  2. JFET MOS electronique MOS electronique -JFET MOS electronique MOS electronique MOS electronique
  3. 所属分类:Document

    • 发布日期:2017-05-01
    • 文件大小:85254
    • 提供者:Y.MAJDOUB
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