搜索资源列表
memory
- 详细描述了存储器的基本结构，从最简单的单位存储单元到复杂的SDRAM,是软硬件设计师的最佳参考
ARMask
- ARMask.The ARM has six operating modes: • User (unprivileged mode under which most tasks run) • FIQ (entered when a high priority (fast) interrupt is raised) • IRQ (entered when a low priority (normal) interrupt is raised) R
AT91_Memory_Interface
- AT91系列的Memory接口详解以及示例。
P4_PPC_SDRAM_Reference_Design
- SDRAM 参考设计:主要包括The following figure shows a high-level block diagram for this reference design followed by a brief descr iption of each sub-section. The design consists of: · PowerPC processor · PLB-OPB bridge · BlockRAM Memory Controller ·
Memory_HD
- 深入了解Memory的结构，介绍内存的发展，物理连接等。
SDMemoryCardSpecification
- SD卡，MMC卡 MCU读取方案比较完整的资料,详细介绍了SD Memory Card Specification的第一到第七章节。
DM642EDMA
- DM642上的DMA性能一个简单的介绍和分析。 DM642中的DMA称为EDMA（Enhanced Direct Memory Access）,其EDMA控制器支持64个相互独立的DMA通道，每个通道都可以接受系统外设事件的触发或者CPU的指令的触发，不同DMA传输之间还可以进行连接，构成各种复杂的DMA操作，在600MHz主频时可以提供2.4GB/秒的数据吞吐量。具备的1维、2维传输模式，非常适合图像的处理。
LinuxMTDsource
- Memory Technology Device，内存技术设备的源码分析
osdi00
- Using Compiler-Inserted Releases to Manage Physical Memory Intelligently∗
Frontier_Processors_Architecture
- instruction level parallel caches pipeline virtual memory
ME7_system_principle
- 先进的发动机管理系统－－ME7-Motronic ME7系统是目前国内采用的德国BOSCH公司生产的Motronic系列发动机管理系统（Engine Management System 简称EMS）的最先进的一种，与之前的M1和M3系统的最大不同在于ME7系统的控制策略是基于扭矩控制的。 ME7系统的电控单元（EMS ECU）采用了两片高性能CPU，大容量的闪存（Flash Memory），在提高系统运行处理能力和程序、匹配数据升级方面有明显的提高。 电控单元（EMS ECU）中的C
memory
- 关于VC的文章：C++编码中减少内存缺陷的方法和工具
Embeddstems
- Embedded reference memory in automatic speech recognition systems.pdf
memory
- 本程序为内存池解决方案，程序设计中兼顾了小内存碎片中等内寻管理以及大块内存设计中参阅了网络的部分内存池设计原理，取其精华，本程序池对象分为三个部分变量中，使用完后再释放该内存空间归还系统
TestingDoc
- 自动进行JAVA单元测试和代码标准检查来帮助开发人员编写克号的代码的工具。可分析类，然后生成单元测试案例来包括最大的覆盖测试，发现未处理的异常并校验需求。-自动的基本错误预防，包括单元测试和自动代码标准检查-生成并执行单元测试案例-提供了进行黑盒测试、模型测试和系统测试的快速简单的途径-识别并预防未处理的运行时异常，函数错误，内存泄露，性能问题和安全弱点-监控测试的覆盖范围-自动回归测试-检查超过380个来自JAVA专家的编码规范-改正违反超过160个编码规范的错误-允许用户创建自己的编码规范-
S3C44B0X中文技术文档
- 介 绍 三星的S3C44B0X 16/32位RISC处理器被设计来为手持设备等提供一个低成本高性能的方案。 S3C44B0X提供以下配置：2.5V ARM7TDMI 内核带有8Kcache ;可选的internal SRAM;LCD Controller(最大支持256色STN，使用LCD专用DMA)；2-ch UART with handshake(IrDA1.0, 16-byte FIFO) / 1-ch SIO； 2-ch gener
SD Memory Card Specifications1.01
- sd卡的通讯协议，12分地详细。
ATF16V8B 芯片介绍
- The ATF16V8B is a high performance CMOS (Electrically Erasable) Programmable Logic Device (PLD) which utilizes Atmel’s proven electrically erasable Flash memory technology. Speeds down to 7.5 ns are offered. All speed ranges are specified over th
spra958i.pdf
- TI文档 (Running an Application from Internal Flash Memory on the TMS320F28xxx DSP)
NAND FLASH 存取原理
- NAND Flash 的數據是以bit 的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell 中只能存儲一個bit。這些cell 以8 個或者16 個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device 的位寬。這些Line 會再組成Page. (Nand Flash 有多種結構，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面內容針對三星的K9F1208U0M)，每頁528Byte，每32 個page 形成一個Block， Si