％ 用于模拟PN结中载流子的分布、电场和电势 ％ 总长为 L 的半导体截面上，左侧为 N 区，掺杂浓度 NA；右侧为 P 区，掺杂浓度为 ND ％ 假设截面积足够大- Used to simulate the PN junction carrier distribution, electric field and electric potential L total length of the semiconductor section, left for N areas, doping

这是用四阶龙格库塔法计算半导体激光器速率方程的工程，源代码用C语言书写，开发平台为VC6.0。程序输出数据被写入文件SLdata.txt中，其中第一列为仿真时间，第二列为载流子浓度，第三列为光子密度。为了方便更多相关开发者调试，还提供了一个matlab源文件test.m。test.m用于将计算数据在matlab中用曲线显示。-This is project developed by Visual C++ 6.0 software platform, which uses the 4th orde

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔(A.H.Hall，1855-1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。(The Holzer sensor

1.1.课题任务要求及技术指标设计任务; 若锗中含有一定数量的杂质元素Sb,试根据要求分析杂质浓度与电离度以及电离温度之间的关系: (I) 当Sb浓度分别为10"cm-和10"cm-时，计算杂质9%,90%和50%电离时的 温度各为多少? (2) 根据一定杂质类型和杂质浓度,画出电离度和温度的关系图线。并确定半导体处于强电离区(电离度>90%) 的温度范围。设计要求: (1) 具有友好输入输出界面: (2) 调整输入数据。得出相应结果。并进行分析。(