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MOS_CONVorcad
- ORCAD编写的准谐振变流器仿真程序，可以观察MOS管导通过程-ORCAD prepared by the quasi-resonant converter simulation, we can observe the MOSFET conduction process
MOSFET
- 内找到自己计算机上的图片，加以编辑并进行欣赏。有了 Picasa，您只需借助于快速单次点击式修正，即可实现高级修改操作和图片共享
switchpower_C8051F330
- 以C8051F330为核心,开发单端正激型开关电源充电器,C8051F330负责电流环及电压环采样及对应脉宽PWM输出,控制主电路MOSFET管,构成负反馈.
power_mosconv
- MOSFET in Zero-Current-Quasi-Resonant Converter 在simulink中仿真mosfet的模型程序。
yianxiao
- 本系统以高效率D类功率放大器为核心，输出开关管以采用高速MOSFET管，连接成互补对称H桥式结构。
采用smart MOSFET的雨刷控制方案
- 基于PIC系列单片机，采用功率半导体代替继电器驱动汽车雨刷电机，利用CAN总线通信获取电机控制信息。
电子九阴真经
- 《DSP芯片的原理与开发应用》 《通过在FPGA设计流程引入功率分析》改善PCB的可靠性 《如何快速解决PCB设计EMI问题》菜鸟入门必看 《CADENCE射频SiP方法学套件加速无线应用设计》 《如何有效地管理FPGA设计中的时序问题》 《利用微型热管理和电源管理技术》解决电子设计的关键难题 最新射频IC应用编程接口设计方案 《DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET的热分析方法》有效的解决方法 《基于PSoC3芯片的步进电机微步控制方案》经典案例 《SVN，HG，GIT命
IR2184S_-_HALF-BRIDGE_DRIVER.rar
- The IR2184(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Pro- prietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugge- dized monolithic construction. The logic inpu
FAN7888
- 该 FAN7888 是一款集成了三个半桥式栅极驱动器集成电 路的芯片，专为高压，高速驱动MOSFET和 IGBT设计， 可在高达 +200V电压下工作。 飞兆半导体的高电压处理和共模噪声消除技术可以保证高 端驱动器在高 dv/dt 噪声环境下稳定工作。 先进的电平转换电路允许高端驱动器在 VBS=15V 时运行 在 VS=-9.8V（典型值）。 当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时， UVLO 电路能够 预防故障。 输出驱动器的拉电流 / 灌电流
THB7128
- 步进电机驱动芯片THB7128全套资料！ ● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.53Ω ● 最高耐压40VDC，大电流3.3 A（峰值） ● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128） ● 自动半流锁定功能 ● 内置混合式衰减模式 ● 内置输入下拉电阻 ● 内置温度保护及过流保护 -stepper motor dirver IC
mosfet_as_load_switch_design_-collections
- Mosfet as load switch schmeatic design collections. Cool:)
Lecture26-MOSTranSmallSigModelAmplifiers
- MOSFET Small Signal Model and Analysis. Just as we did with the BJT, we can consider the MOSFET amplifier analysis in two parts: • Find the DC operating point • Then determine the amplifier output parameters for very small input s
irfs4321pbf
- irfs4321pbf, mosfet high current.
irfs4321
- irfs4321,low resistance mosfet 83A.
8N60
- 600v6a The UTC 8N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switchi
S232
- 基于PIC16F877A的DS18B20一线总线多路测温系统（采用Proteus模拟）。 Proteus模拟电路图＋PIC C语言源程序（MPLAB V8.00） 这可不是用多I/O模拟的多路测温哦！看系统功能： 1）、由一线数据线寄生供电，采用MOSFET强上拉给DQ供电； 2）、上电自动搜索可用的传感器并做CRC校验（实现了Search ROM命令）； 3）、 报警下限可选择； 4）、轮询显示温度，通过LCD1602输出； 5）、 传
300Wamplifier
- Power Amplifier MOSFET HI-FI 300W by 2SK1058, 2SJ162
ds18b20
- 以MCS51单片机为例，采用寄生电源供电方式， P1 1口接单线总线为保证在有效的DS18B20时钟周期内提供足够的电流，可用一个MOSFET管和89C51的P1 0来完成对总线的上拉，当DS18B20处于写存储器操作和温度A/D变换操作时，总线上必须有强的上拉，上拉开启时间最大为10 μs。采用寄生电源供电方式是VDD和GND端均接地。-To MCS51 microcontroller, for example, using parasite power supply mode, P1 1 K
datasheet_5
- IGBTs were first introduced as a combination of the bipolar junction transistor (BJT) and the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) technology. The IGBT is to prefer in medium high voltage segments (600- 3000V) rather than
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- The understanding of the switching procedure of an IGBT requires a more detailed descr iption. It is very similar to a MOSFET. The main difference occurs at turn-off when a current tail appears, see Figure 2.2 [5]. When turning on, a positive v