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060106
- 以TMS320VC5410为例,介绍对m29LV200BFlash存储器进行程序分页烧写以及上电后多页用户程序并行自举的方法。对多页Flash存储器的烧写,须在烧写过程中对已烧写的数据长度进行动态判断, 当达到预定烧写长度后对Flash进行换页,然后继续烧写,重复上述换页过程,直到程序烧写完为止。对 多页程序的并行自举,在系统上电后,利用TI提供的自举程序,将一个用户自己编写的前导程序载入DSP,利用该前导程序将多页程序载入DSP来实现程序的自举。此方法适用于多种Flash芯片和C500